Galijev nitrid, kao poluvodički materijal širokog pojasa jezgre, doživio je brzo proširenje kapaciteta za uređaje za napajanje i RF čipove tijekom 2026. Za razliku od monokristalnih silikonskih pločica, GaN supstrati postižu Mohsovu tvrdoću između 8,5-9,0, uz stabilnu energiju kemijskog vezivanja, što predstavlja posebne poteškoće konvencionalnim kemijsko-mehanički procesi planarizacije. Obični poliuretanski CMP jastučići opće namjene za silicij ne mogu zadovoljiti zahtjeve obrade GaN, a usklađivanje materijala postalo je jedno od glavnih uskih grla koja ograničavaju prinos masovne proizvodnje.
U povratnim informacijama o stvarnom radu tvornice, nepravilno usklađene formule jastučića lako uzrokuju dva tipična nedostatka: nedovoljna brzina uklanjanja materijala koja dovodi do niske propusnosti ili pretjerana mehanička abrazija koja dovodi do mikroogrebotina i oštećenja ispod površine GaN ploča. Za epitaksijalno uzgojene GaN-on-Si i GaN-on-SiC strukture, čak i sitne površinske ogrebotine izravno će pogoršati električnu izvedbu sljedećih uređaja. Podaci o industrijskim ispitivanjima pokazuju da kvalificirani poliuretanski jastučići namijenjeni GaN-u trebaju istodobno uravnotežiti strukturu pora, tvrdoću i kemijsku otpornost. Veličina pora obično se kontrolira unutar 25 μm-50 μm kako bi se postiglo stabilno držanje kaše i učinkovito pražnjenje ostataka, izbjegavajući začepljenje pora tijekom dugotrajnog kontinuiranog poliranja.
Mnogi razvijači poluvodičkih potrošnih materijala sada prilagođavaju sustave umrežavanja duroplastičnog poliuretana za scenarije GaN. Dizajn tvrdoće mora postići finu ravnotežu: previše tvrdi jastučići stvaraju ogrebotine, dok pretjerano mekani jastučići žrtvuju sposobnost globalne planarizacije po cijeloj ploči. Višeslojne kompozitne strukture koje kombiniraju kruti gornji sloj za poliranje i kompatibilnu podlošku postupno su postale glavna rješenja za GaN CMP obradu.
Oslanjajući se na naše akumulirano iskustvo u razvoju poliuretanskih materijala visokih performansi, optimiziramo formulaciju osnovnog polimera i parametre mikropjenjenja ciljajući karakteristike poliranja GaN. Naše materijalno rješenje usmjereno je na stabilnu konzistenciju pora, dobru otpornost na alkalne i kisele CMP kaše i niske performanse odbacivanja čestica. Podržava tvornice za dobivanje glatkih GaN površina na razini atoma uz održavanje prihvatljive učinkovitosti uklanjanja, pomažući klijentima u skraćivanju ciklusa otklanjanja pogrešaka procesa za masovnu proizvodnju spojeva poluvodiča.